晶体管元件查询
型号：IXTA5N60P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.7 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管NCE01H13DIPP60R199CP(6R199P)IXFX44N50Q5N30LSD65R380GFTK20J60WYFW20N60A8(20N60AF)FLM7177-12D2SK1198IXFT24N502SK1236BUK9635-100AIPP80N04S4-03(4N0403)FHP170N1F4AMGF2407