晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IXTH30N25
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.075 Ω
封装：TO-247

更多N沟道场效应管80N07FTK65T680F(NCE65T680F)LNC06R062STB9NK50Z-1KGF1860DHD3205CEB85N75NCE3030K2SK651IRF14042SK676H5IRF342STU8NB90FSX02X2SK2610

中文 - English

电子爱好者