晶体管元件查询
型号：KHB4D5N60P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】106 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】106 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管2SK41525N50MDD190357N10IRFM240NEZ1414-2A2SK2610IRFU022TW015N120CCS12N60FA9R3SK240BUZ81(A)AOD44543SK2412SK1377