晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:MDD1903
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
36.8 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
12.8 A
漏极和源极电压(VDSS):100 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.105 Ω
封装:DPAK

更多N沟道场效应管IRLZ24SVF5N60ASTF11N60M2-EP(11N60M2EP)NVMYS7D3N04CLIRFP448IRFSL4410ZPbFIRFB4115SLF13N50ABUK471-100A2SK439F2SK2161IRF4468IRF1407PbF2SK3710SGT280N60W3

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