晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LND10N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-220F

更多N沟道场效应管2SK2967FQP50N06LFQA28N50IRF431BUZ376DH3278STW8N80IRCZ24FTB85N12UV1404RHY4903IPD250N06N32SK439DSVD5N60LSC65R380HT

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