晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LNF12N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.8 Ω
封装：TO-262

更多N沟道场效应管LSG70R1KGTSPW20N60CFDSVF4N60AIRFJ343MGF24152SK569M91FBUZ90AF2N6800SSH6N80ASAOD472IRFJ122FDP032N08U3N60FSW20N50C

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