晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LNF4N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：77 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.7 Ω
封装：TO-262

更多N沟道场效应管IRLR014NE32183AFHD150N03CIRFK2D350FCPF16N60NE345L-20B2SK3635IRFI6302SK1120FTA10N65CFMV10N80E2N6661SSW7N80A2N3972PTP04N08N

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