晶体管元件查询
型号：LNH2N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：35 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：4.5 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管2SK168780N70F4IXTH9N95MTP8N18LNE08R085LND08R055W3IPB025N10N3DHF3205PLNF10N65IRFZ44ELPbFMDF4N65BLSB65R180HTSTP11NK40ZFPTK20J60WIRFU320