晶体管元件查询
型号：IPB025N10N3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】180 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0025 Ω
总耗散功率（Ptot）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
封装：TO-263-7
更多N沟道场效应管2SK569IRFP040LNH2N65NP32N055HHEIRFIP448FLM1213-4CLSC80R350GTAP60T03GHSSP65R650S2IRFS1Z3DG5N60MTW10N100EFHF12N65LSGN04R035SIF7N80C