晶体管元件查询
型号：LNH2N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：35 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：5.2 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管HY3312PMGFC39V7785BUZ90AFIXFH44N50PIRF830F2N7002K(H702K)2SK1081LND18N502SK168FQP10N60CIRFF3212SK575HY4903AOD482IRFK3F350