晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LNH4N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：77 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.4 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管HY3712PSHTM040N032SK612FHD80N06BIRFJ443DHD130N03AOD5N40IRF630NIRFP251HMS85N9550N25IRLR0147N20MGF1502IRFZ24N

中文 - English

电子爱好者