晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LNL04R165
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：2 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0165 Ω
封装：SOP8

更多N沟道场效应管2SK1338FQU2N1002SK363SWD6N60(SW6N60)DHF150N10LSC65R125HTIRFI540S80N08RMTH8N90JCS8N60BSSP7N60BMS4N1350IRFK3F450MXP8835AFIRFK6J350

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