晶体管元件查询
型号：LSC65R930GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.93 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管2SK1113PHB50N06LTFK20SM-6FMH06N80EFMV06N80ETK8A50DIRF632HY1920WIPI110N20N3G(110N20N)IRFBG202SK1234MGF4403AFHP130N10AZJ85N952SK1462