晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LSD65R099GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：35 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.099 Ω
封装：TO-220MF

更多N沟道场效应管FQP3N60CDH130N03TK15A60DMXP8835AFUV4004RIRF633DHF1710IXFT26N50MGF150110N65FC2KK5034FMC07N90ELSH65R380HTRF1S40N10KS6205GB

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