晶体管元件查询
型号：LSE65R099GF
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：278 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.099 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管MGFC36V7785FTP11N08N2SK1548-01MRIRFB7430IXTM4N100IRFR215IRF200P223LSD65R380HTBUK9635-100AAOB9N70SGT210N60SJIRFK4J250IRFAG30SGT420N80W3YTC100N10T