晶体管元件查询
型号：LSG70R640GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：83 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7 A
漏极和源极电压（VDSS）：700 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.64 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管2SK612SGT160N60W3IRLR0248N60KSSP5N90(A)FDA38N30STW9NK70Z2SK367SVT077R5NDSTI18N60M2IRFJ321FDP12N60NMGF4401AIRFPG3075N10