晶体管元件查询
型号：SVT077R5ND
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】143 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】143 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】95 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】95 A
漏极和源极电压（VDSS）：68 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0075 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管MGF2116IXTH10N80FDI045N10ACS64N12IRF520AIRF452STP7N95K3NCE80H12LSGG10R085W34N65KAP2306NBUZ78KS6205DASTW8NB80MGFC39V5258