晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：LSH65R1K6GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：38 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】3 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.6 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管LNC20N652SK2737MGF0904LB85N10GIRFP443UV1404RMTP10N25IRFF1212SK354ASTW6NA80HY3912WLSE55R140GT2SK64812N80BUZ380

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