晶体管元件查询
型号：LSH65R2K5GT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：25 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管IRFBG302SK575IRFK4H150FHP80N06B57N10KHB4D5N60F2SK2978AP2306NIRFK2D25080R900P7IPW60R190C6(6R190C6)IPP60R199CP(6R199P)MGFC39V64712SK3562NCE40H12I