晶体管元件查询
型号：NCE40H12I
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：120 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.004 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管IRFZ14CS48N88SGI360N60W3SVD2N60JCS8N65SBLNG04R050LSG70R450GTP75N02LILSE65R180GT2SK118BUK454/800A80R900P72SK223JCS740CCIXTM4N80(A)