晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：MGF1801
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：1.2 W
漏极电流（ID）：0.25 A
漏极和源极电压（VDSS）：8 V
封装：4-167

更多N沟道场效应管2SK2862IRFP443FMI07N90ESTH3N150-2TSP5N60MCS100N06D3FQB34N20L2SK12172SK3262-01MRFTP23N10ALSG65R380GFIXFH1N902SK618LND7N65DIPD60R400CE

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