晶体管元件查询
型号：MJD112
类型：NPN三极管（达林顿）
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 W
集电极电流（IC）：2 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：100 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：100 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：20 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：2000 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝2 A】2 V
【集电极电流（Ic）＝2 A】2 V
特征频率（fT）：25 MHz
直流放大系数（hFE）：1000~12000
备注：与MJD117互补
封装：DPAK/IPAK
DPAK
IPAK
DPAKIPAK更多NPN三极管（达林顿）KT8232A1MJH110222SD15902SD2214BUW81A2N5306A2SD13792SD25602SD19832SD8942SD7682SD1788MPSA122SD1195MPSW45A