晶体管元件查询
型号：MJD122T4G
类型：NPN三极管（达林顿带阻尼）
集电极耗散功率（PC）：
【集电极温度（Tc）＝25 ℃】20 W
【集电极温度（Tc）＝25 ℃】20 W
集电极电流（IC）：8 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：100 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：100 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：10 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：2000 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝8 A】4 V
【集电极电流（Ic）＝8 A】4 V
特征频率（fT）：4 MHz
直流放大系数（hFE）：1000~12000
备注：与MJD127T4G互补
封装：DPAK
更多NPN三极管（达林顿带阻尼）2SD13272SD946A2SD1750AON4359TIP1222SC40172SD2019BDT612SD15342SC3664BUT132SD9152SD684A2SD18432SD1297