晶体管元件查询
型号：MTM4N45
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：450 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-3
更多N沟道场效应管2.3N06LSC65R380GF2SK2661CRSS042N10N3SK273MGF2148SMT10N60DHF140N09LSC65R125HTLNC10R040W3IRFJ433NVMYS7D3N04CLFQP9N90CIXTK150N15PLSF65R930GT