晶体管元件查询
型号：NVMYS7D3N04CL
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】38 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】38 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】52 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】52 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0073 Ω
封装：LFPAK4
更多N沟道场效应管FHS100N8F6ACRST055N08NMTA2N60EIRL40SC2282SK7942N7219HYG018N10NS1BTSP5N60MSVD15NE50APM2510NMTP5N18PTA20N65LNG4N65EMA09N03CSMGF2117