晶体管元件查询
型号：NCE55H11
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】110 A
漏极和源极电压（VDSS）：55 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0075 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FDB075N15AHY4004BCS2837ANDSTI4N62K3STW12N60BS108NCE65R260FSGT10N60SJCS48N78STP26N60DM6LND20N65LSF65R380GF2SK4018SSW5N80AHY1920W