晶体管元件查询
型号：NP32N055HHE
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.032 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管MMD60R580PBFSC11FA/LGKGF18003SK1212SK725STP6N95K5WFP8N60TFP290N08HY3608PIRFZ44ZLSGF1K1N65W3IRFS4710PbF2SK201IRFAE50SVD2N60