晶体管元件查询
型号：NVB5860NT4G
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：283 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】220 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】220 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.003 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管LSE70R1KGTSVD740FTK65T680DD(NCE65T680D)2SK21422SK2850-01LNN06R140FSA12N60ALNL05R1552SK4017FLM1112-4CFDP12N60NMDP9N602SK3476IRF140DHE90N045R