晶体管元件查询
型号：NVMYS011N04C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：LFPAK4
更多N沟道场效应管SLB12N65CBSS91IPI075N15N3GIRFP242LNC4N60FSX03FA/LGLSB60R280HTLNH04R050IRFI820IRFK6JC50IRFZ44ELPbFJCS20N60ANHLNH06R230IRFR420SGH5003E