晶体管元件查询
型号：OSG60R200FSZF
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：34 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.2 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRLZ34RJK5014LSG60R280HTDHI1710SM3106NSUIRFP4229MGF13052SK786SKD502TCJQ07N10IRFP4242PbFMS4N1350LNL05R230HY3408APFTK65T180DD(NCE65T180)