晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：P10N160
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】220 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.006 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管IRFF2202SK3569HY3403DMDP10N055THFMH13N80E2SK439DFS3KM-14ASTP6NK90ZLSGE10R080W3TK040Z65ZIRFZ342SK2862FHF540IRFU212MGF1202

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