晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：MGF1202
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.3 W
漏极电流（ID）：0.1 A
漏极和源极电压（VDSS）：6 V
封装：4-166

更多N沟道场效应管IXTQ40N50L2DHI3205AIRF343IPB80N04S4-03(4N0403)FQA140N10LSE65R125HTSWP8N65DIRFU022VCRR65T180FLNL04R165NP84N06CLDSGT110N50W3BF992STW20N65M5TK6A60D

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