晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：P75N02LI
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：250 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：30 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0045 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管IRF320FQD2N100IRFP255FLS02WFLC081XPSTW11NK100ZIRF625SSH10N802SK794IRFP341FSA04N60AUV4004RMGF1601HY4504AFQL40N50

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