晶体管元件查询
型号：FQD2N100
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1.6 A
漏极和源极电压（VDSS）：1000 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：9 Ω
封装：DPAK
更多N沟道场效应管BUK457-500BJCS2N60VIRFZ20TK62N60WSGB600N65W3CHM95CIRFK2F450LSGC085R041W32SK719DHE130N03TK6A60DIRFR320IXTA5N60PIRFAG20VCRR65T180F