晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：RF1S40N10SM
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.04 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管BR80N75IRFK3F4502SK3797FQD6N60CFBM80N70B2SK1239STP75NF752SK423BF256BIRFK2D350FQPF8N60C2N6766A2SHBIRC832IRF1010E

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