晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：RF1S40N10SM
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.04 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管MGF2430FTP23N10AIXFH26N50FLM5964-18DAIRF1422SK60FQA28N50LND03R031IRFP042BUK471-100A2SK690AOTF14N50IRFG113NCE40H12CS20N65

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