晶体管元件查询
型号：S80N08S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】80 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管SUD35N05-26LBUK437/600BSTP9NK70ZFPSSS7N60BFLR024FHIRF513SiHG20N50C2SK587IRFF213BUK437/400BIRF3312SK3301TUF3N25LNB10R040W3AOTF474