晶体管元件查询
型号：S80N10R
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FCPF380N60IRF833IRFIP140HY3003BSPP15N60C3SMK1060PIRFBF30IRF630NSTW20N65M5DHE17102SK1010HYG016N04LS1BHY1807PIRFJ232SGF1K1N65W3