晶体管元件查询
型号：HYG016N04LS1B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】240 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】240 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0017 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IRF333LSB60R030HTKF7N50PFTA06N40DFBM140N85UV250N08RSUD35N05-26LIRF225SGB600N65W3IXFM21N50FTP85N12IRFI640DHD80N08HCP60R190IRFK4H054