晶体管元件查询
型号：S80N10S
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-263
更多N沟道场效应管IPW60R280P6BRU20N902SK25412SK3199FLM6472-25DAFLM6472-8C/DIXFH28N50FAO3416YPI7575C2SK3590SVD2N65FLM1213-4C2N6660VN88AFD15N60