晶体管元件查询
型号：S85N10R
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管STB14NK50ZT4IPS70R600P7S(70S600P7)SVF7N65CFIRFP153MGF1502SGI660N65W32SK1317SVT085R5NTIPA60R400CEP50N03LDG2SK1962BSS892SK758OR9013A2SK274