晶体管元件查询
型号：SVT085R5NT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0055 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FDP18N50SSH7N80ANCE75H11S80N10R2SK4017SSH6N90AWMN14N65C2NCEP039N10D2SK1544SMN0665FDIRF153SI2304DSFDB075N15ASST65R420S2IRFIP448