晶体管元件查询
型号:S85N12RP
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】230 W
【管壳温度(Tc)=25 ℃】230 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】120 A
【管壳温度(Tc)=25 ℃】120 A
漏极和源极电压(VDSS):85 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.007 Ω
封装:TO-220
更多N沟道场效应管2SK2607FQPF7N80CIRF6132SK34342SK3982-01MRIRFM4504N90CIRFU224IRF1404ZLPbFIRFK4JC50LNN04R050FQPF13N50CIRFR012STB75NF75FDPF18N50T