晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGB650N80W3
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：8 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管BF410BFHX35X2SK125DHE90N035RIRFZ44ELPbF2SK1616IRFF221DHI3205PRF1S70N03SMSSW4N90AB40NE03LAUIRFS8409-7PSGB360N65W3BUZ90AF07N60C3

中文 - English

电子爱好者