晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:SGB660N60W3
类型:N沟道场效应管
漏极电流(ID):6 A
漏极和源极电压(VDSS):600 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.66 Ω
封装:TO-263

更多N沟道场效应管2SK570SIRF245IXFH7N80IRFF122FLC301MG-4PK6D0BASGD660N65W3AO3442MTP3055VH7N1004DLFMR09N90EIRF3710LPBFTK8A65D2SK457IXTP18N60PM

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