晶体管元件查询
型号：H7N1004DL
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】25 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】25 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.035 Ω
封装：IPAK
更多N沟道场效应管BUZ341TSP10N60MSPW16N50C3SSP6N60FLM4450-14/DSTW9NK70Z2SK3672SK3572LSGN04R035HY3712PLND4N65IRFP4526N60FIRFF113FLM7785-12D