晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：SGM2004M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.15 W
漏极电流（ID）：0.055 A
漏极和源极电压（VDSS）：12 V
封装：4-340

更多N沟道场效应管2SK301-RFLS31IRFP4412SK817FK20SM-6S80N08RIRLH5030PbFMTP2N25SGI600N65W3DHE070N06IRFS821FCP16N60IRF630M2SK557IRF200P222

中文 - English

电子爱好者