晶体管元件查询
型号：SGM2006M/P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.15 W
漏极电流（ID）：0.055 A
漏极和源极电压（VDSS）：12 V
封装：4-198/340
更多N沟道场效应管LSB55R055GFIRFZ44ZS2SK1113LSH65R280HTLSC65R570GTIPP60R199CP(6R199P)8N80SVF12N65K2SK428LSB55R050GTSUP70N06-14SGW110N50W3IRFB4115LNC06R079LSGC15R085W3