晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：FQD50N06
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】136 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.012 Ω
封装：TO-252

更多N沟道场效应管IPA60R280E6(6R280E6)BUZ10AOD4186HCP60R190TS75N092SK1924IRFPG50IRLU014MGF12022SK2736LSB60R125HTSVD12N65AOD452ASSS6N55MXP8828AL

中文 - English

电子爱好者