晶体管元件查询
型号：SSP5N60C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FQPF8N60C2SK648TSM900N06CPLNH03R031IPI075N15N3GIRFIZ443SK1122SK872AOD486A2SK3595IRF630NFDA59N30SUP85N03-07PIRLD110FTA06N60C