晶体管元件查询
型号：STB11NM60T4
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.45 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管LNN04R040BIXTM5N95LND08R055W3SSP65R650S2FHP120N7F6ADHI150N06CSD30N55IXTQ40N50L2DH150N10IRFH350FHD150N03C2SK3522KP8N65DHY5208AHY3912W